Pure Tungsten Plate ແຜ່ນ Tungsten
ຄວາມບໍລິສຸດ 99.95% ແຜ່ນ Tungsten ແຜ່ນ Tungsten ແນະນໍາໂດຍຫຍໍ້
1. ປະເພດວັດສະດຸ:W1.
2. ຄວາມບໍລິສຸດ tungsten:99,95%.
3. ຄວາມໜາແໜ້ນ:ບໍ່ຕໍ່າກວ່າ 19.1g/cm3.
4. ຂະໜາດ:0.1mm ~ 100mm ຄວາມຫນາ x 50-600mm width x 50-1000mm ຍາວ.
5. ດ້ານ:ສີດໍາ, ສານເຄມີທໍາຄວາມສະອາດຫຼືເຄື່ອງຈັກ / ດິນ.
6. ຄຸນນະສົມບັດແຜ່ນ Tungsten:ຈຸດ melting ສູງ, ຄວາມຫນາແຫນ້ນສູງ, ການຕໍ່ຕ້ານການຜຸພັງຂອງອຸນຫະພູມສູງ, ຊີວິດການບໍລິການຍາວ, ການຕໍ່ຕ້ານ corrosion, ຄຸນນະພາບສູງ, ຄວາມສາມາດໃນການເຮັດວຽກ.
7. ຄໍາຮ້ອງສະຫມັກຂອງແຜ່ນ tungsten ບໍລິສຸດ / ແຜ່ນ tungsten:ແຜ່ນ Tungsten ສ່ວນໃຫຍ່ແມ່ນໃຊ້ໃນການຜະລິດແຫຼ່ງແສງສະຫວ່າງໄຟຟ້າແລະພາກສ່ວນສູນຍາກາດໄຟຟ້າ, ເຮືອ, ເຄື່ອງປ້ອງກັນຄວາມຮ້ອນແລະຄວາມຮ້ອນໃນເຕົາອົບອຸນຫະພູມສູງ, ການວິນິດໄສທາງການແພດແລະອຸປະກອນການປິ່ນປົວ;ເພື່ອຜະລິດກ້ຽວວຽນ tungsten ສໍາລັບການລະເຫີຍສູນຍາກາດແລະເຮັດໃຫ້ເປົ້າຫມາຍ sputtering tungsten.
ຂະໜາດແຜ່ນ Tungsten (ສູງສຸດ ມມ)
| ຄວາມຫນາ | ກວ້າງ | ຄວາມຍາວ |
| 0.05-0.15 | 100 | 200 |
| 0.15-0.20 | 205 | 1000 |
| 0.20-0.25 | 300 | 1000 |
| 0.25-0.30 | 330 | 1000 |
| 0.30-0.50 | 350 | 800 |
| 0.50-0.80 | 300 | 600 |
| 0.80-1.0 | 300 | 500 |
| 1.0-1.50 | 400 | 650 |
| 1.50-3.0 | 300 | 600 |
| >3.0 | 300 | L |
ຄຸນສົມບັດວັດສະດຸ Tungsten
ມີຄວາມຕ້ອງການທີ່ເພີ່ມຂຶ້ນຂອງວັດສະດຸ tungsten ຈາກອຸດສາຫະກໍາເອເລັກໂຕຣນິກ, ນິວເຄລຍ, ແລະອາວະກາດສໍາລັບວັດສະດຸທີ່ຮັກສາຄວາມຫນ້າເຊື່ອຖືພາຍໃຕ້ເງື່ອນໄຂອຸນຫະພູມທີ່ເພີ່ມຂຶ້ນເລື້ອຍໆ.ເນື່ອງຈາກວ່າຄຸນສົມບັດຂອງມັນຕອບສະຫນອງຄວາມຕ້ອງການເຫຼົ່ານີ້, tungsten ຍັງປະສົບກັບຄວາມຕ້ອງການທີ່ເພີ່ມຂຶ້ນ.
ລັກສະນະທີ່ສະຫນັບສະຫນູນຄວາມຕ້ອງການ tungsten ໃນຄໍາຮ້ອງສະຫມັກເອເລັກໂຕຣນິກຈໍານວນຫຼາຍແມ່ນ:
● ຄວາມແຂງແຮງແລະຄວາມແຂງຢູ່ໃນອຸນຫະພູມສູງ.
● ການນໍາຄວາມຮ້ອນທີ່ດີ.
● ການຂະຫຍາຍຄວາມຮ້ອນຕໍ່າ.
● ການປ່ອຍອາຍພິດຕໍ່າ.
ຂະໜາດແຜ່ນ Tungsten ຂັດ (ມມ)
| ຄວາມຫນາ | ກວ້າງ | ຄວາມຍາວ |
| 3.0-4.0 | 250 | 400 |
| 4.0-6.0 | 300 | 600 |
| 6.0-8.0 | 300 | 800 |
| 8.0-10.0 | 300 | 750 |
| 10.0-14.0 | 200 | 650 |
| >14.0 | 200 | 500 |
Pure Tungsten Plate / ການນໍາໃຊ້ແຜ່ນ Tungsten
ຊິ້ນສ່ວນ furnace, Semiconductor Base Plate, ອົງປະກອບສໍາລັບທໍ່ເອເລັກໂຕຣນິກ, Cathodes ການປ່ອຍອາຍພິດສໍາລັບການລະເຫີຍ Beam Electron, Cathodes ແລະ Anodes ສໍາລັບ Ion Implantation, Tubes / Boats ສໍາລັບ Sintering ຂອງ Capacitors, ເປົ້າຫມາຍສໍາລັບການວິນິດໄສ X-ray, Crucibles, ອົງປະກອບຄວາມຮ້ອນ, radiation X-ray ໄສ້, Sputtering ເປົ້າຫມາຍ, electrodes.